第三代半導體(tǐ)适配
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第一代半導體(tǐ)材料是元素半導體(tǐ)的世界，第二、三代半導體(tǐ)材料成為(wèi)化合物(wù)的世界，其中(zhōng)經曆了什麽故事？ 中(zhōng)國(guó)準備用(yòng)第三半導體(tǐ)材料超越曲線(xiàn)嗎？第一代半導體(tǐ)材料是元素半導體(tǐ)的世界，第二、三代半導體(tǐ)材料成為(wèi)化合物(wù)的世界，其中(zhōng)經曆了什麽故事？ 中(zhōng)國(guó)準備用(yòng)第三半導體(tǐ)材料超越曲線(xiàn)嗎？ 今天我們來談談半導體(tǐ)材料，從第一、第二代開始走，第三代半導體(tǐ)材料将講述怎樣的未來。
第一代半導體(tǐ)材料
20世紀50年代，鍺(Ge )站在光的舞台上，被應用(yòng)于低壓、低頻、中(zhōng)功率晶體(tǐ)管和光電(diàn)檢測器，而鍺半導體(tǐ)器件在高溫和耐輻射性方面存在很(hěn)大的短闆，因此在60年代把主導地位讓位給了矽。含量豐富，絕緣好，提純結晶簡單，矽是迄今應用(yòng)最多(duō)的半導體(tǐ)材料之一，主要應用(yòng)于數據運算等領域。
第二代半導體(tǐ)材料
随着科(kē)學(xué)技(jì )術的需求越來越大，矽的輸送速度慢，功能(néng)單一不足暴露出來，化合物(wù)半導體(tǐ)材料應運而生。 20世紀90年代，随着移動通信、光纖通信的順風風車(chē)，出現了以砷化镓(GaAs )、磷酸铟(InP )為(wèi)代表的第二代半導體(tǐ)材料，其中(zhōng)砷化镓技(jì )術最成熟。 适于制造高速、高頻、大功率和發光電(diàn)子器件，并且主要應用(yòng)于通信領域，例如衛星通信、移動通信、光通信、GPS導航等。
第三代半導體(tǐ)适配材料
但是，随着半導體(tǐ)器件的應用(yòng)領域的擴大，特别是特殊情況下，半導體(tǐ)在高溫、強輻射、大功率等環境下也要求牢固，第一、第二代半導體(tǐ)材料無力，第三代半導體(tǐ)适配材料——的寬帶隙半導體(tǐ)材料(禁帶寬度大于2.2ev ) 主要包括碳化矽(SiC )、氮化镓(GaN )、砷化镓(GaAS )、氧化鋅(ZnO )、金剛石、氮化鋁(AlN )，比較成熟的是碳化矽和氮化镓被稱為(wèi)第三代半導體(tǐ)适配材料的雙雄，而氧化鋅、金剛石、氮化鋁的研究尚屬起步階段。
第三代半導體(tǐ)适配材料的興起還有(yǒu)一個契機。半導體(tǐ)适配材料生産(chǎn)中(zhōng)的主要污染物(wù)為(wèi)GaAs、Ga3、In3等，随着環保綠色概念的普及，尋找滿足産(chǎn)品需求、不污染環境的新(xīn)半導體(tǐ)材料，着眼于有(yǒu)機半導體(tǐ)(使有(yǒu)機材料，如c和n滲透到半導體(tǐ)材料中(zhōng))，GaN、SiC成為(wèi)新(xīn)星。現在，以第三代半導體(tǐ)材料為(wèi)基礎的新(xīn)興技(jì )術迅速崛起，攻克第三代半導體(tǐ)材料技(jì )術的高地也越來越激烈。
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