第三代半導體(tǐ)适配的材料特點和應用(yòng)
- 分(fēn)類：新(xīn)聞資訊
- 作(zuò)者：
- 來源：
- 發布時間：2020-05-26
- 訪問量：394
【概要描述】第三代半導體(tǐ)适配的材料特點和應用(yòng)
第三代半導體(tǐ)适配
第三代半導體(tǐ)适配的材料特點和應用(yòng)
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詳情
第三代半導體(tǐ)适配的材料特性
與第一代和第二代半導體(tǐ)材料相比，第三代半導體(tǐ)材料具(jù)有(yǒu)更寬的帶隙，更高的擊穿電(diàn)場，更高的熱導率，更高的電(diàn)子飽和率和更高的抗輻射性，這更适合于制造更高的材料。溫度，高頻，抗輻射和大功率設備。它通常也被稱為(wèi)寬帶隙半導體(tǐ)材料（帶隙寬度大于2.2eV），也被稱為(wèi)高溫半導體(tǐ)材料。從當前對第三代半導體(tǐ)材料和器件的研究來看，較為(wèi)成熟的是SiC和GaN半導體(tǐ)材料，而對氧化鋅，金剛石，氮化鋁等材料的研究仍處于起步階段。碳化矽（SiC）和氮化镓（GaN）-也被稱為(wèi)第三代半導體(tǐ)材料。
第三代半導體(tǐ)适配材料的性能(néng)與應用(yòng)
迄今為(wèi)止，半導體(tǐ)工(gōng)業的發展經曆了三個階段。 第一代半導體(tǐ)材料以矽（Si）為(wèi)代表。第二代半導體(tǐ)材料砷化镓（GaAs）也已被廣泛使用(yòng)。以寬帶隙為(wèi)代表的第三代半導體(tǐ)材料，例如氮化镓（GaN），碳化矽（SiC）和氧化鋅（ZnO），具(jù)有(yǒu)比前兩代顯着的性能(néng)優勢，并受到業界的廣泛好評。第三代半導體(tǐ)适配具(jù)有(yǒu)高擊穿電(diàn)場，高飽和電(diàn)子速度，高導熱率，高電(diàn)子密度，高遷移率等特性，因此也被稱為(wèi)固态光源，功率的“核心”。電(diàn)子，微波射頻設備以及光電(diàn)子和微電(diàn)子等行業的“新(xīn)引擎”。發達的寬禁帶半導體(tǐ)主要是SiC和GaN，而SiC的開發較早。
在應用(yòng)方面，根據第三代半導體(tǐ)适配的發展，其主要應用(yòng)是半導體(tǐ)照明，電(diàn)力電(diàn)子設備，激光器和檢測器以及其他(tā)四個領域，每個領域都有(yǒu)不同的行業成熟度，在前沿研究領域，寬帶隙半導體(tǐ)仍處于實驗室的研發階段。
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