中(zhōng)國(guó)第三代半導體(tǐ)适配材料發展面臨的機遇與挑戰
- 分(fēn)類：新(xīn)聞資訊
- 作(zuò)者：
- 來源：
- 發布時間：2020-05-26
- 訪問量：650
【概要描述】中(zhōng)國(guó)第三代半導體(tǐ)适配材料發展面臨的機遇與挑戰
中(zhōng)國(guó)第三代半導體(tǐ)适配材料發展面臨的機遇與挑戰
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在巨大的優勢和廣闊的前景的刺激下，世界各國(guó)都在增加第三代半導體(tǐ)适配領域的實力。但是，中(zhōng)國(guó)寬帶隙半導體(tǐ)産(chǎn)業化的進展相對較慢，寬帶隙半導體(tǐ)技(jì )術迫切需要突破。
“最大的瓶頸是原材料。”中(zhōng)國(guó)科(kē)學(xué)院半導體(tǐ)研究所研究員，中(zhōng)國(guó)電(diàn)子學(xué)會半導體(tǐ)與集成技(jì )術分(fēn)會秘書長(cháng)王小(xiǎo)亮認為(wèi)，中(zhōng)國(guó)原材料的質(zhì)量和制備有(yǒu)待解決。此外，湖(hú)南大學(xué)應用(yòng)物(wù)理(lǐ)系副教授曾建平也表示，目前，我國(guó)SiC晶圓的制備仍空缺，大部分(fēn)設備是從國(guó)外進口的。
“國(guó)内對SiC，GaN材料和器件的研究工(gōng)作(zuò)相對較晚，與國(guó)外相比水平還相對較低。阻礙國(guó)内第三代半導體(tǐ)研究進展的重要因素是原始的創新(xīn)問題。” 美國(guó)國(guó)家半導體(tǐ)照明工(gōng)程研發與産(chǎn)業聯盟的一位專家表示，國(guó)内大多(duō)數科(kē)研機構及相關生産(chǎn)企業在新(xīn)材料領域都取得了快速的成功，很(hěn)難忍受長(cháng)期的“隻投入，不産(chǎn)出”的局面現狀。因此，以第三代半導體(tǐ)适配材料為(wèi)代表的新(xīn)材料的原始創新(xīn)是困難的。
原始創新(xīn)是從頭開始的創新(xīn)過程，其特點是投資大，周期長(cháng)。以SiC為(wèi)例，它具(jù)有(yǒu)寬帶隙，高擊穿電(diàn)場，高導熱率，高電(diàn)子飽和率和較高的抗輻射性。非常适合高溫，高頻，抗輻射和大功率設備。但是，很(hěn)難生長(cháng)SiC晶體(tǐ)。 盡管經過數十年的研發，隻有(yǒu)美國(guó)的Cree，德(dé)國(guó)的SiCrystal和日本的新(xīn)日鐵等少數公(gōng)司已經掌握了SiC的生長(cháng)技(jì )術，它可(kě)以生産(chǎn)出更好的産(chǎn)品，但與真正的SiC仍然相距甚遠(yuǎn)。因此，以第三代半導體(tǐ)适配材料為(wèi)代表的新(xīn)材料的原始創新(xīn)是困難的，并且是工(gōng)業化的主要障礙。
“第三代半導體(tǐ)适配将對我國(guó)的未來産(chǎn)業産(chǎn)生重大影響。對其應用(yòng)技(jì )術的研究更為(wèi)關鍵。如果相關的支持技(jì )術和産(chǎn)品跟不上，第三代半導體(tǐ)适配材料和器件的作(zuò)用(yòng)和效率将越來越高。可(kě)能(néng)起到不好的作(zuò)用(yòng)，因此有(yǒu)必要協調整個産(chǎn)業鏈的發展。”中(zhōng)興通訊副總裁嚴文(wén)德(dé)說。
這既是機遇，也是挑戰。未來，中(zhōng)國(guó)第三代半導體(tǐ)适配産(chǎn)業将面臨許多(duō)困難。 正如北京大學(xué)寬帶隙半導體(tǐ)研究與發展中(zhōng)心的沉波教授所說，中(zhōng)國(guó)第三代半導體(tǐ)發展所面臨的機遇是非常好的，因為(wèi)在過去的十年中(zhōng)，在半導體(tǐ)照明的推動下，氮化镓在這兩個領域都已經成熟。材料和器件程度已經大大提高，但是第三代半導體(tǐ)在電(diàn)力電(diàn)子器件和射頻器件中(zhōng)還有(yǒu)很(hěn)長(cháng)的路要走。市場和産(chǎn)業才剛剛起步，我們仍然面臨巨大挑戰，必須共同努力。
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